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    HVMSS-SPC-1-LD 1英寸高真空磁控濺射頭

    簡(jiǎn)要描述:1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD可安裝直徑為1“的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材(如金屬、陶瓷、磁性和非磁性靶材等)。且采用高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提高鍍膜質(zhì)量。

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2018-11-01
    • 訪  問  量:2359

    詳細(xì)介紹

    品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)

    1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD主要適用于我公司制造的VTC-600-3HD三靶磁控濺射儀、VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀,該磁控濺射頭可安裝直徑為1"的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配,因此可濺射各種靶材,如金屬靶材(如金、銀、銅等材料)、絕緣靶材(如陶瓷靶材、氧化物靶材、聚四氟乙烯靶材等)、磁性靶材、非磁性靶材等。且采用高真空的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可提高鍍膜質(zhì)量。該濺射頭配裝有環(huán)形NdFeB永磁體在濺射頭上,以保證濺射鍍膜的效率和薄膜在樣品表面分布的均勻性。

    產(chǎn)品型號(hào)

      1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD

    主要特點(diǎn)

      1、采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作。

      2、采用電磁場(chǎng)的有元計(jì)算法來設(shè)計(jì)永磁體,以得到較高的磁場(chǎng)強(qiáng)度和均勻分布。

      3、磁體表面涂有保護(hù)層,以防止冷卻水的腐蝕,延長(zhǎng)其使用壽命。

      4、標(biāo)準(zhǔn)的HN型接頭,可與DCRF電源相匹配。

      5、安裝采用標(biāo)準(zhǔn)真空接頭,便于操作。

      6、靶材更換較為簡(jiǎn)單,無(wú)需調(diào)整濺射頭的高度。

      7、配有銅靶1塊。

    技術(shù)參數(shù)

      1、濺射頭直徑:Φ46.3mm

      2所用靶材:直徑1"±0.02"(25.4mm),zui大厚度1/8"(3mm        

      3磁環(huán):NdFeB稀土永磁體

      4、柄桿直徑:外徑3/4"

      5、電路接頭:標(biāo)準(zhǔn)HN型接頭,可與DCRF電源相匹配

      6、所需功率:DCzui大250WRFzui大100W

      7、陰極濺射電流:zui大3A

      8、陰極濺射電壓:200V-1000V

      9、工作壓力范圍:1mtorr-1torr

      10、濺射厚度均勻性:采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個(gè)20nm的薄膜,直流功率150W真空環(huán)境

                                             10mtorr1"銅靶,與基片距離75mm

                                           

      11、水冷卻:水管接頭為外徑0.25"快插頭,所需水流量1/2GPM,進(jìn)水溫度<20

                           

      12、高真空快速接頭:為贈(zèng)送品,數(shù)量1個(gè),內(nèi)徑為0.75",可將濺射頭安裝在真空腔體上,真空腔體上的安裝

                   孔直徑為1",真空腔體的壁厚不得大于1"

                                           

      13、傾斜裝置:濺射頭相對(duì)于柄桿zui大可傾斜±45?,設(shè)有刻度線,可觀察到靶頭傾斜的角度

                             

    產(chǎn)品規(guī)格

      尺寸:14"355.6mm);重量:1.36kg

    可選配件

      1、循環(huán)水冷機(jī),流量為16L/min,水箱容積為6L

      2100W小型手動(dòng)匹配型射頻電源RF-100-LD,可自行搭建濺射鍍膜儀。

    主要應(yīng)用

      在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜,應(yīng)用如下:

      薄膜涂覆、半導(dǎo)體器件、磁記錄介質(zhì)、超導(dǎo)薄膜、量子計(jì)算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術(shù)、超晶格、顆粒

      膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學(xué)薄膜

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