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    VTC-600G高真空磁控濺射儀

    簡(jiǎn)要描述:VTC-600G高真空磁控濺射儀是新自主研制開發(fā)的鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。可選配多個(gè)靶槍,配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn),是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜

    • 產(chǎn)品型號(hào):
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2025-01-22
    • 訪  問  量:1528

    詳細(xì)介紹

    品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
    產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域綜合
    產(chǎn)品簡(jiǎn)介VTC-600G高真空磁控濺射儀

    VTC-600G高真空磁控濺射儀是新自主研制開發(fā)的鍍膜設(shè)備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控濺射儀可選配多個(gè)靶槍,配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜。與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn),是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備,特別適用于實(shí)驗(yàn)室研究固態(tài)電解質(zhì)及OLED等。

    主要特點(diǎn)VTC-600G高真空磁控濺射儀
    • 可選配多個(gè)靶槍,配套射頻電源用于非導(dǎo)電靶材的濺射鍍膜,配套直流電源用于導(dǎo)電性材料的濺射鍍膜(靶槍可以根據(jù)客戶需要任意調(diào)換)。

    • 可制備多種薄膜,應(yīng)用廣泛。

    • 體積小,操作簡(jiǎn)便。

    • 整機(jī)模塊化設(shè)計(jì),真空腔室、真空泵組、控制電源分體式設(shè)計(jì),可根據(jù)用戶實(shí)際需要調(diào)整。

    • 可根據(jù)用戶實(shí)際需要選擇電源,可以一個(gè)電源控制多個(gè)靶槍,也可多個(gè)電源單一控制靶槍。

    技術(shù)參數(shù)VTC-600G高真空磁控濺射儀
    產(chǎn)品名稱VTC-600G高真空磁控濺射儀
    產(chǎn)品型號(hào)VTC-600G
    主要參數(shù)1、結(jié)構(gòu):臺(tái)式前開門結(jié)構(gòu),后置抽氣系統(tǒng)。 
    2、極限真空:6.0X10-5Pa。 
    3、漏率:1h≤0.5Pa。 
    4、抽氣時(shí)間大氣至5.0X10-3約20分鐘。 
    5、真空泵組:機(jī)械泵+分子泵。 
    6、樣品臺(tái):φ140、室溫-500℃、精度±1℃ (可根據(jù)實(shí)際需要提升溫度) 自轉(zhuǎn)5rpm-20rpm內(nèi)可調(diào)。 可根據(jù)客戶需求選配加裝偏壓功能, 以實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的鍍膜。
    7、加氣系統(tǒng):質(zhì)量流量計(jì)2路。 (氬氣/氮?dú)飧饕宦罚?nbsp;
    8、靶頭與樣品臺(tái)中軸線夾角為34° 
    9、靶頭數(shù)量:3個(gè)(互成120°)。
    10、 靶槍冷卻方式:水冷 
    11、靶材尺寸:φ2″,厚度0.1-5mm (因靶材材質(zhì)不同厚度有所不同)
    產(chǎn)品規(guī)格

    12、產(chǎn)品規(guī)格:
    ·整機(jī)尺寸:700mm×852mm×1529mm;

    可選配件VTC-600G高真空磁控濺射儀
    序號(hào)名稱功能類別圖片鏈接
    1樣品臺(tái)擋板(可選)VTC-600G高真空磁控濺射儀


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